STP20NM60FP- N MOS 600V/20A, ST Microelectronics: 25,893Kč/ks

STP20NM60FP snesou krátkodobé zatížení až 20A, pokud je teplota kovové základny součástky 25°C. V praxi trvale asi 5A až 10A (efektivní hodnota proudu) kvůli izolovanému provedení pouzdra- R_THJC je vyšší než u klasického TO220.

Základní parametry:

- 600V/45W/20A/<0,29Ω
- rozsah pracovních teplot přechodu -65°C až 150°C
- E_as  650mJ, jediný, neopakovaný impuls
- Q_g < 54nC při I_d = 20A, U_ds = 480V a U_gs = 10V
- t_r < 20ns
- t_f < 11ns
- R_thjc < 2,8K/W

Výrobce: ST Microelectronics

Pouzdro: TO-220FP, izolované

Skladováno: dobře

Původ: přebytky bastlíře

Datasheet je k dispozici níže ke stažení.