IPB60R165CP- N MOS 650V/21A, Infineon: 19,9177Kč/ks

S36/ipb60r165cp-ir-v0/0219/30

Nepoužité zboží

MOSFETy IPB60R165CP jsou výjimečné velmi nízkým RDSON- pod 0,165Ω- při vysokém závěrném napětí 650V. Proto snesou trvalý proud až 21A při teplotě pouzdra 25°C nebo 13A při teplotě pouzdra 100°C. Jsou vynikající součástkou např. pro výkonové spínané zdroje.

Více informací

8 ks

Skladem- výrobek může být za pár dnů Váš.

16,4609 Kč s DPH

Více informací

Základní parametry:

- 650V/192W/21A/<0,165Ω
- rozsah pracovních teplot přechodu -55°C až 150°C
- Eas  552mJ, jediný, neopakovaný impuls
- Qg < 52nC při Id = 12A, Uds = 400V a Ugs = 10V
- tr typicky 5ns
- tf typicky 5ns
- Rthjc < 0,65K/W

 

Výrobce: Infineon/International Rectifier

 

Pouzdro: TO-263

Skladováno: dobře, orig. pásek

 

Původ: přebytky bastlíře

 

Datasheet je k dispozici níže ke stažení.

Společně s tímto výrobkem si zákazníci koupili:

Ke stažení

Datasheet IPB60R165CP- Infineon

Obsahuje základní technické informace o zboží.

Ke stažení (348.02k)
Košík 0 Výrobek Výrobky (prázdný)    

Žádné výrobky

Závisí na výběru zákazníka Doprava
0,0000 Kč Celkem

Chci objednat zboží v košíku

Výrobek přidán do košíku
Množství
Celkem
V košíku je 0 výrobků. V košíku je 1 výrobek.
Celková cena zboží
Dopravné celkem  Závisí na výběru zákazníka
Celkem
Chci nakoupit další výrobky za jedno poštovné Chci objednat zboží v košíku

FET, JFET, MOSFET a pod.

Vyhledávání

Odběr novinek