S36/ipb60r165cp-ir-v0/0219/30
Nepoužité zboží
MOSFETy IPB60R165CP jsou výjimečné velmi nízkým RDSON- pod 0,165Ω- při vysokém závěrném napětí 650V. Proto snesou trvalý proud až 21A při teplotě pouzdra 25°C nebo 13A při teplotě pouzdra 100°C. Jsou vynikající součástkou např. pro výkonové spínané zdroje.
8 ks
Skladem- výrobek může být za pár dnů Váš.
Základní parametry:
- 650V/192W/21A/<0,165Ω
- rozsah pracovních teplot přechodu -55°C až 150°C
- Eas 552mJ, jediný, neopakovaný impuls
- Qg < 52nC při Id = 12A, Uds = 400V a Ugs = 10V
- tr typicky 5ns
- tf typicky 5ns
- Rthjc < 0,65K/W
Výrobce: Infineon/International Rectifier
Pouzdro: TO-263
Skladováno: dobře, orig. pásek
Původ: přebytky bastlíře
Datasheet je k dispozici níže ke stažení.
Zenerova dioda v pouzdře SOT-23 ke stabilizaci...
0,1405 Kč
Miniaturní tlumivky v pouzdře 2512, Vishay....
0,9174 Kč
15k/1206/0,24W/(B=3630±3% K, α=-4,0 %/K) SMD...
0,7272 Kč
Precizní dělič s extrémně nízkým teplotním...
1,5809 Kč
Zenerova dioda v pouzdře SOT-23 ke stabilizaci...
0,1405 Kč
Zenerova dioda v pouzdře SOT-23 ke stabilizaci...
0,1405 Kč
Vyhledávání
užitečné odkazy